[19p-233-1~12] 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス

[19p-233-6] 大面積集積化に向けたスパッタMoS₂薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs

〇(D)松浦 賢太朗¹、清水 淳一¹、外山 真矢人¹、大橋 匠¹、宗田 伊理也¹、石原 聖也²、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、小椋 厚志²、若林 整¹ (1.東工大、2.明治大)

キーワード：二流化モリブデン、スパッタリング法、nMISFETs