[19p-CE-5~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-CE-13] Activation of Magnesium implanted in Ga-face GaN layer by Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Irradiation

〇Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹, Koji Shiozaki² (1.Hiroshima Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:Atmospheric pressure thermal plasma jet, P-type GaN, Impurity activation

本研究ではGa極性面GaNに対してMgのイオン注入を行い大気圧熱プラズマジェット照射による不純物活性化熱処理に取り組んだ。
その結果、Ga面においても良好な整流特性を示すI-V特性の取得およびDAPに起因するCL発光を観測した。これらの結果からイオン注入したMgが活性化してP型層が形成されていると考えられる。また熱処理を繰り返し行うことでMgの活性化が促進されていると考えられる結果を得た。