[19p-CE-5~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-CE-7] Characterization of Al₂O₃ MOS structures fabricated on high-temperature annealed GaN surfaces

〇Tatsuya Oyobiki¹, Tamotsu Hashizume¹ (1.RCIQE. Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, High-temperature annealing

GaNデバイスにおけるイオン注入技術の最適化のため、プロセスの一部である高温アニールに着目した。ここでは、SiNもしくはSiO_²を保護膜として用い、1050~1150℃の温度範囲でアニールを行った。アニール後、保護膜を剥離したのち、形成したAl₂O₃/GaN MOS構造の電気的特性から、高温アニールが界面特性に与える影響に関して評価を行った。測定の結果、高温アニールによってGaN表面に欠陥準位が誘起され、Al₂O₃/GaN 界面に界面準位を生じさせることがわかった。