[20a-141-1~13] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20a-141-7] 400°C operation of normally-off n- and p-JFETs with a side-gate structure fabricated by ion implantation into a high-purity semi-insulating SiC substrate

〇(M1)Masashi Nakajima¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:High Temperature Operation, JFET, normally-off

SiC JFETは厳環境で動作可能な論理回路素子の有力候補である。消費電力低減の観点からノーマリオフ型のn-JFET、p-JFETを組み合わせた相補型JFETによる論理回路が理想的であるが、エピタキシャル層を利用した場合、同一基板上のノーマリオフn-JFET、p-JFETの作製は困難である。本研究では、半絶縁性基板へのイオン注入によりサイドゲート構造を有するn-JFET、p-JFETを作製し、室温から400℃でのノーマリオフ動作を確認した。