[20a-224A-1~10] 3.7 Laser processing

[20a-224A-4] TEM Analysis of Crystalline Defects Induced in Si by Stealth Dicing

〇Hiroyuki Iwata¹, Hiroyasu Saka², Daisuke Kawaguchi² (1.Aichi Inst. of Tech., 2.Hamamatsu Photonics)

Keywords:dislocation, TEM, clack

ステルスダイシング（SD）法により形成した改質層を数µm厚さのTEM試料内に収め，その結晶構造の解明を試みた．TEM(加速電圧200～1000kV)観察は，非干渉性像を長いフォーカス深度で得ることができる明視野走査透過モード（BF-STEM）を利用した．
集光領域の特徴的なボイド, Siの高圧相が付着したボイド, グライドセット転位の集合体そしてクラックからなるレーザ誘起損傷領域について詳細に解析を行った．またin-situ加熱TEM観察による性状の変化についても言及する．