[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [20a-233-5] 局所レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の結晶成長制御

〇(B)山田 貴大¹、妹川 要^1,2、中村 大輔¹、後藤 哲也³、池上 浩^1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)

キーワード：レーザーアニール、多結晶Si、TFT

Selective Laser Annealing(SLA)法は，チャネル領域のみにpoly-Siの結晶化を施すことが可能な画期的な方法である一方で，結晶粒が不均一になりTFT特性が不安定となることが問題となっている．本報告ではマルチラインビームを用いたSLA法により結晶粒の成長制御が可能であることを示し，本方式により形成されたpoly-Si薄膜の電気特性についても述べる．