[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-233-7] 室温時効したアモルファスGeのフラッシュランプアニール結晶化

〇仲村 龍介¹、奥川 将行¹、部家 彰²、松尾 直人²、保田 英洋³ (1.阪府大工、2.兵庫県立大工、3.阪大工)

キーワード：アモルファスゲルマニウム、結晶化、フラッシュランプアニール

スパッタリングで作製したアモルファスGe（a-Ge）薄膜は室温での時効によって構造がより不規則になること，そして，それに応じて結晶化組織が変化する．本研究では，時効期間の異なるa-Geに対して，フラッシュランプアニール（FLA）法による結晶化挙動を調べた．電子線や加熱結晶化と同様に，FLA結晶化でも室温時効，すなわち，初期のアモルファス構造に応じて結晶化ミクロ組織が異なることを報告する．