[20a-233-1~9] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[20a-233-8] Crystallization of sputter-deposited amorphous Si-Ge films

〇(D)Masayuki Okugawa¹, Ryusuke Nakamura¹, Hiroshi Numakura¹, Manabu Ishimaru², Hidehiro Yasuda³ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Kyushu Inst. Univ., 3.Osaka Univ.)

Keywords:amorphous silicon germanium, crystallization

スパッタリングで作製したアモルファスGe（a-Ge）薄膜では，アモルファス構造の変化に応じて結晶化ミクロ組織や結晶化温度が異なる．この知見を踏まえて，本研究ではa-Si-Ge合金およびa-Siにおける加熱結晶化挙動を調べた．Geが50 at. %以上のa-Si-Ge薄膜では粗大粒子とナノ結晶の混合組織となり，前者の出現温度は400~600℃，後者は600~750℃であった．一方，a-Si_0.8Ge_0.2およびa-Si薄膜では粗大粒子は生成せず，それぞれ750℃および800℃で均一で微細なナノ結晶相のみが出現した．