[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-233-8] スパッタリング法によって作製したアモルファスSi-Ge薄膜の結晶化

〇(D)奥川 将行¹、仲村 龍介¹、沼倉 宏¹、石丸 学²、保田 英洋³ (1.阪府大工、2.九工大工、3.阪大工)

キーワード：アモルファスSi-Ge、結晶化

スパッタリングで作製したアモルファスGe（a-Ge）薄膜では，アモルファス構造の変化に応じて結晶化ミクロ組織や結晶化温度が異なる．この知見を踏まえて，本研究ではa-Si-Ge合金およびa-Siにおける加熱結晶化挙動を調べた．Geが50 at. %以上のa-Si-Ge薄膜では粗大粒子とナノ結晶の混合組織となり，前者の出現温度は400~600℃，後者は600~750℃であった．一方，a-Si_0.8Ge_0.2およびa-Si薄膜では粗大粒子は生成せず，それぞれ750℃および800℃で均一で微細なナノ結晶相のみが出現した．