The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[20a-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 20, 2018 9:00 AM - 12:30 PM 331 (International Conference Room)

Yusuke Kumazaki(Fujitsu Lab.)

11:00 AM - 11:15 AM

[20a-331-8] Distribution of Net Donor Concentration in Low-doped N-type GaN
Grown on 4-inch Sapphire substrates by Multi-wafer MOVPE Reactor

〇(M1)Keisuke Sakao1, Masahiro Horita2, Jun Suda1,2,3, Guanxi Piao4, Yuya Yamamoto4, Yoshiki Yano4, Koh Matsumoto4 (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ. IMASS, 4.Taiyo Nippon Sanso Corp.)

Keywords:Gallium nitride, MOVPE, net donor concentration

サファイア基板上に量産機を用いてMOVPE成長した4インチn型GaNの実効ドナー密度の分布を測定した。その結果実効ドナー密度は同心円状に変化し、中央から端にかけて緩やかに減少する傾向が得られた。
また5/3比などのGaN作製条件やウェハのSi濃度に応じて減少傾向は変化することが分かり、特に5/3比の違いによる変化を炭素濃度の分布によって引き起こされたと推察した