[20a-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [20a-331-9] Deep Electron Traps in Homoepitaxial N-type GaN Formed by Gamma-ray Irradiation

〇(M1)Keito Aoshima¹, Kazutaka Kanegae², Masahiro Horita², Jun Suda^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:Garrium Nitride, gamma-ray, point defect

窒化ガリウム(GaN)は、宇宙空間や原子炉において使用されるエレクトロニクス機器の耐放射線デバイス材料として期待されている。本研究では、ホモエピ成長n型GaNに対してガンマ線を照射してDLTSを行うことにより、ガンマ線照射により生成される電子トラップの解明を目指している。今回は、深さが約1 eVと非常に深い準位であるG2トラップの密度やスペクトルを正確に得るために、測定に用いるショットキー障壁高さに着目した評価を行った。