[20a-CE-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-CE-4] 複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法のBulk SRAMセルへの応用

〇水谷 朋子¹、竹内 潔¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：SRAM、ばらつき、安定性

IoTデバイス実現に向けて電源供給問題は重要な課題である．解決方法のひとつとしてエネルギーハーベスト技術が注目されている．しかしながら，環境をエネルギー源とするため信頼性の低い電源電圧 (V_DD) 条件で動作する可能性がある．従って，IoTチップ内のSRAMセルのデータ保持エラーを回避するには、低V_DD下での安定動作が不可欠である．以前我々は，ランダムしきい値電圧 (V_TH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において，ストレスを複数回に分けて印加する手法を提案し，SOTB SRAMセルを用いてデータ保持電圧 (DRV) が低下できることを確認した．本研究では，さらにbulk SRAMセルをおいて本手法の効果を実証したので報告する．