[20a-PA6-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-PA6-7] ラマン散乱分光法による歪み内蔵SiCウェハの評価

〇(M1)小椋 夕紀¹、酒井 慎介²、山本 秀和¹ (1.千葉工大工、2.(株)サクセス)

キーワード：SiC、ラマン散乱分光法、応力

高耐圧・高速駆動用パワーデバイスとして、ワイドギャップ半導体であるシリコンカーバイド(SiC)やガリウムナイトライド(GaN)等を用いたデバイスが検討されている。低コスト化の面からSiCウェハの大口径化が重要である。しかし、このSiCウェハの大口径化に伴いウェハ内の転位等の結晶欠陥や表面と裏面の面粗度の違い等によるウェハの反りや割れが課題となっている。そこで我々は、反りが大きく歪みが内蔵されていると考えられる4H-SiCウェハをラマン散乱分光法によって評価したので報告する。