[20a-PB4-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[20a-PB4-4] ドライエッチングにより形成された1550nm帯量子ドットリッジ構造レーザのアニールによる特性向上

〇(M2)赤石 陽太¹、伊澤 昌平¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一³、石川 浩¹、宇高 勝之¹ (1.早大理工、2.NICT、3.早大GCS機構)

キーワード：量子ドット、半導体

近年1550nm波長帯の量子ドットレーザ(QD-LD) は低閾値、高発光効率な光源として注目されており、さらには量子ドット混晶化(QDI)による広帯域な光源として期待される。これまで我々はドライエッチングによるストライプQD-LDの閾値上昇傾向を確認しており、今回はアニールによってリッジ外部をQDI化し特性向上を確認したので報告する。