[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

[20p-141-8] 強誘電体ゲートトランジスタにおけるHfO₂系強誘電体薄膜の期待と問題点

〇藤村 紀文¹、高田 賢志¹、吉村 武¹ (1.大阪府大工)

キーワード：強誘電体、適応学習型ニューロデバイス、負性容量

電界効果トランジスタのゲート絶縁膜を、強誘電体薄膜で置き換えた強誘電体ゲートトランジスタは、1トランジスタで低消費電力FeRAMを構成でき、データの読み出しが非破壊で、かつ、高集積化にも有利である。また、超低消費電力デバイスとして期待される適応学習型ニューロデバイスや急峻スイッチ負性容量トランジスタとしても期待されている。このデバイスにHfO₂系物質を利用することによる利点と問題点に関して講演する。