[20p-221C-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20p-221C-10] Exploration of condition for grinding SiC by Beyesian optimization

〇(M1)Keichi Osada^1,2, Yosuke Tsunooka^1,2,3, Kiyoshi Narita⁴, Koizumi Haruhiko^1,2, Kentaro Kutsukake⁵, Harada Shunta^1,2, Miho Tagawa^1,2, Toru Ujihara^1,2,3 (1.Grad. Eng., Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.AIST GaN-OIL, 4.Nitolex Corp., 5.Inst. Innov. Fut. Soc., Nagoya Univ.)

Keywords:Silicon Carbide, Bayesian optimization, crystal processing

SiCは次世代パワーデバイス材料として期待されている。SiC基板は、インゴットを切断し、研削、研磨を行うことで製造される。本研究では研削過程に注目している。しかし、研削条件には、研削砥石の種類やその回転速度、SiC基板の回転速度などの多くのパラメータがあり、実験のみで最適化するのは非常に困難である。そこで我々は近年機械学習の一種として注目されているベイズ最適化によるSiC研削の最適条件探索と実験を逐次的に行った。