2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年9月20日(木) 13:45 〜 18:00 221C (2Fラウンジ1)

黒木 伸一郎(広島大)、江藤 数馬(産総研)

17:00 〜 17:15

[20p-221C-12] 三フッ化塩素ガスによる炭化珪素薄膜形成装置クリーニング方法開発 ―純化処理を施した熱分解炭素被膜の三フッ化塩素ガス耐腐食性―

倉島 圭祐1、羽深 等1、伊藤 英樹2、三谷 慎一2、高橋 至直3 (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード:三フッ化塩素ガス、クリーニング

炭化珪素エピタキシャル膜の表面欠陥発生を抑制するために、三フッ化塩素ガスを用いたSiCエピリアクターのクリーニング方法が提案されている。クリーニングの際にサセプタを保護する被膜材料として純化処理を施した熱分解炭素を用いて耐腐食性を調査したところ、570℃以下の温度においてフッ化されるものの、表面形態は損なわれないことが確認された。本研究では被膜表面の炭素原子間結合状態について、詳細を報告する。