[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-221C-14] 炭化珪素エッチング条件における三フッ化塩素ガスに対する AlN の腐食性

〇春口 瞳夕¹、川崎 稜平¹、羽深 等¹、高橋 至直² (1.横国大院工、2.関東電化工業)

キーワード：三フッ化塩素ガス、エッチング、窒化アルミニウム

炭化珪素の表面を半導体製造工程において素早く加工するための三フッ化塩素ガスの高い反応性による腐食からエッチング装置内部品を保護するため、三フッ化塩素ガスに対する保護膜材料を想定し、AlNの耐腐食性を調べたので詳細を報告する。