[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-221C-15] ビニルシラン単一前駆体を用いたCVD法によるSi基板上への3C-SiCエピタキシャル成長

〇橋本 健太郎¹、土井 拓馬¹、竹内 和歌奈^1,2、中塚 理^1,3、財満 鎭明⁴ (1.名古屋大院工、2.愛知工大、3.名古屋大未来研、4.名古屋大学未来社会創造機構)

キーワード：SiC、エピタキシャル成長、ビニルシラン