[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-221C-3] シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する調査

〇(M1)東堂 大地¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：SiC、オーミックコンタクト

近年、省エネルギー化が図れるシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスが注目を浴びており、プロセス技術の研究が盛んに行われている。我々はこれまでにn型4H-SiC 上にSi層を堆積させた後に加熱処理をするシリコンキャップアニール(SiCA)を行うことでSi層を除去した後も、オーミックコンタクトが得られることを報告している。本研究ではSiCAの温度依存性について調査した。