2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » ナノエレクトロニクス材料・デバイス研究開発を目指した先端イオン顕微鏡技術

[20p-233-1~10] ナノエレクトロニクス材料・デバイス研究開発を目指した先端イオン顕微鏡技術

2018年9月20日(木) 13:30 〜 18:00 233 (233)

米谷 玲皇(東大)、小川 真一(産総研)

15:15 〜 15:30

[20p-233-5] Helium ion microscopy (HIM) for imaging fine line features patterned organic film with less damage

Shinichi Ogawa1、Tomoya Ohashi2、Shigeki Oyama2、Yuki Usui2 (1.AIST、2.NISSAN CHEMICAL IND.)

キーワード:helium ion microscopy, surface observation, damage

Low damage obseravation of a fine line organic material was studied in comparison with helium ion microscopy (HIM) and secondary electron microsopy (SEM). Helium ions damaged the organic materials heavier in depth direction than electrons, while it kept original surface morphology with less transformation or shrink, so imaging of the filled organic materials into trenches by the HIM presumably shows more realistic than the SEM imaging.