[20p-311-1~18] 17.2 グラフェン

△ [20p-311-14] 酸化イットリウム絶縁膜を用いた高性能エピタキシャルグラフェンデバイス

〇(B)諏訪 健斗¹、遠藤 則史¹、秋山 昌次²、田島 圭一郎¹、末光 眞希¹、小西 繁²、茂木 弘²、川合 信²、久保田 芳宏²、堀場 弘司³、組頭 広志³、吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.信越化学工業、3.高エネ研)

キーワード：グラフェン、FET、イットリウム

優れた電子輸送特性を有するグラフェンは次々世代無線通信応用に適した材料である．グラフェンデバイスにの高周波特性を阻む原因として，ドレインコンダクタンスが大きい，すなわちドレイン電流が飽和しにくい点が挙げられる．今回イットリウム自然酸化膜を用いてグラフェンFETを作成したところ，出力特性測定にてドレイン電流のきれいな飽和が観測できた．このことから，優れた高周波特性が得られることが示唆される．