[20p-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[20p-331-4] Temperature dependence of Avalanche multiplication in GaN p-n junction diodes
measured by using the light absorption due to Franz-Keldysh effect

〇Takuya Maeda¹, Tetsuo Narita², Hiroyuki Ueda², Masakazu Kanechika², Tsutomu Uesugi², Tetsu Kachi³, Tsunenobu Kimoto¹, Masahiro Horita¹, Jun Suda^1,3,4 (1.Kyoto Univ., 2.TOYOTA Central R&D Labs., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:Avalanche multiplication, Avalanche breakdown, Impact ionization coefficient

これまで我々は，GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したサブバンドギャップの光吸収による光電流を調べ，逆バイアス電圧200 Vまでの範囲で，光電流の電圧・波長依存性がFK効果により定量的に説明できることを報告してきた．また，前回の応物では，絶縁破壊電圧まで電圧掃引して光電流を測定し，測定値とFranz-Keldysh効果による光電流の計算値の比からアバランシェ増倍係数を求められると報告した．本研究では，光電流の温度依存性を測定・解析し，アバランシェ増倍の温度依存性を得たので報告する．
Ref.) T. Maeda et al., Appl. Phys. Lett. 112, 252104 (2018).