[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20p-438-13] Effects of Nitrogen Ambient Annealing on the Recovery of Plasma-induced Defect Structures in Silicon Nitride Films

〇Tomohiro Kuyama¹, Yuta Yoshikawa¹, Yoshihiro Sato¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma-induced damage, micro wave annealing, silicon nitride

半導体デバイスの微細化に伴い、プラズマ曝露による材料内の設計外の欠陥構造形成（物理的ダメージ）が問題となっている。例えばシリコン窒化膜（SiN膜）では、物理的ダメージにより電荷捕獲放出型欠陥が形成され、トンネル電流が増加することが知られている。今回我々はプラズマ曝露されたSiN膜にマイクロ波照射アニールを施し、電気伝導特性に与える影響を詳細に解析した。実験結果からMWAはSiN膜中の特定の欠陥の回復に有効であると考えられる。