[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20p-438-4] Hydrogen plasma modification mechanism of silicon nitride surface by in-situ surface analysis

〇(M1)Kazuya Nakane¹, Rene Henricus Jozef Vervuurt², Takayoshi Tsutsumi¹, Akiko Kobayashi², Nobuyoshi Kobayashi², Masaru Hori³ (1.Nagoya Univ. Eng., 2.ASM Japan, 3.Inst. of innovation for Future Society, Nagoya Univ.)

Keywords:atomic layer etching, silicon nitride, plasma

高い制御性および加工精度を有する原子層エッチング（ALE）が注目されている。SiNxにおいては、水素プラズマ照射による表面改質およびFラジカルによる改質層除去というサイクルからなるALE手法が報告されている。しかし、水素プラズマ照射による表面改質機構はわかっておらず、改質層の制御は行えていない。そこで、本研究では、種々のin-situ表面解析手法を用いて水素プラズマ照射後のSiNx表面改質機構を解明した。