[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[20p-438-7] Study of formation of sidewall striation in high aspect ratio hole etching

〇Junichi Hashimoto¹, Mitsuhiro Omura¹, Takahiro Adachi¹, Yusuke Kondo¹, Masao Ishikawa¹, Junko Abe¹, Takaya Matsushita¹, Hisataka Hayashi¹ (1.Toshiba Memory Corp.)

Keywords:etching, high aspect ratio

3D Flash memoryではSiO₂とSi₃N₄を交互に積層した膜に対して高アスペクト比ホールをドライエッチングにより加工する必要がある。しかしながらマスクが平滑であるにもかかわらず、積層膜の中腹部の側壁に筋状の荒れ(striation)が発生してしまい 、デバイス特性を劣化させてしまう課題がある。本研究ではstriationの発生原因を調査したので報告する。