[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21a-331-11] Threshold Voltage Hysteresis in GaN-based Vertical Trench MOSFETs

〇(M1)Shoichi Murata¹, Masataka Sasada¹, Asubar Joel¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ.)

Keywords:GaN, MOSFET, Ion implantation

本研究では、n⁺ソース領域の形成にSiイオン注入を用いた素子(デバイスA)とn⁺ソース領域の形成にエピタキシャル成長を用いた素子(デバイスB)の二種類を試作し、しきい値電圧のヒステリシス特性について検討したので報告する。