[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-331-3] ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす水素アニールの効果

〇(M1)古岡 啓太¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：GaN HEMT、水素アニール、ALD

MIS型デバイスの特性改善を目的とし、ゲート電極金属蒸着後のアニール（PMA)を水素雰囲気中で行い、ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性に及ぼすPMAの効果について評価を行った。
600℃で⊿V_thは0.3 Vまで下がり、I_gは2.7×10^-5 mA/mmを示した。また、水素によるPDAでは⊿V_thが段階的に減少していき700℃で0.5Vまで達するのに対して、PMAでは比較的低温の300、400℃で1 V付近まで減少しており、PDAとは異なる減少傾向を示した。