[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-331-6] Al₂O₃ MOSゲートFP-HEMTのコラプス特性評価

〇(M1)西谷 高至¹、山口 良太¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大学)

キーワード：GaN、MOS、電流コラプス

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性を有するため次世代のパワー半導体として期待されている。しかし実用化に向けての課題にゲートリーク電流と電流コラプス現象がある。これらを抑制する手法にMOSゲート構造とフィールドプレート(FP)構造の導入が報告されている。本研究ではゲート電極にFP構造をもつAlGaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびパルス特性のゲート酸化膜の膜厚依存性について検討したので報告する。