[21p-135-1~16] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [21p-135-10] Ge表面におけるグラフェン・アシストエッチングの基礎研究
～エッチング速度の温度依存性と活性化エネルギーの評価～

〇平野 智暉¹、中田 裕己¹、山下 裕登¹、李 韶賢¹、川合 健太郎¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体表面、還元グラフェン、エッチング

我々は，水中で還元グラフェンシートと接触したGe表面が選択的にエッチングされる，グラフェン・アシストエッチングの基礎特性を調査している．今回は，そのエッチング速度を向上させることを目指して，エッチング速度の温度依存性を取得した．この実験結果を基にアレニウスプロットを描くと，還元グラフェンシートと接触することによって，系の活性化エネルギーが低下することを見出した．