[21p-135-1~16] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [21p-135-3] Hf系MONOS型デバイスによる多値化(2-bit/cell)の検討

〇(P)工藤 聡也¹、石松 慎¹、堀内 勇介¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：不揮発性メモリ、ハフニウム、多値化

前回までに我々は、Hf系MONOS積層構造をゲート部に有するMISFETおよびダイオードについてメモリ特性を報告した。今回、Hf系MONOS型デバイスを用いた多値化について検討したので報告する。