[21p-135-1~16] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21p-135-4] Ar/H₂熱処理によるSi基板表面原子レベル平坦化の基板面方位依存性

〇堀内 勇介¹、工藤 聡也¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大 工学院)

キーワード：表面、原子レベル平坦化、基板面方位

前回までに報告したAr/4%H₂雰囲気中1050^oCの熱処理により異種面方位Si基板に関する原子レベル平坦化を検討した。p-Si(111)基板の表面を観察したところp-Si(100)基板と同様に原子ステップが観測され、また作製したAl/SiO₂/Si MOSダイオードのリーク電流を測定したところp-Si(100)基板およびp-Si(111)基板において1桁程度の低減が観察された。