[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-7] ミニマル装置を用いたSi基板貫通エッチング技術

〇田中 宏幸^1,2、小木曽 久人^1,2、中野 禅^1,2、野沢 善幸^2,3、速水 利泰^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：TSV、ミニマル、ボッシュ

ミニマルファブにおけるSi基板深掘りエッチングにボッシュプロセス開発を行っている。高アスペクト比加工を行う際、エッチング進行とともにエッチングレートや加工形状が定常を保てない問題があった。今回、どのパラメータを制御したらよいか、どのような物理量が高アスペクト比エッチングに作用するのかを検討した。その結果、真空度、Bias Duty比、サイクルタイムなど縦方向のエッチングを途中で強化すると効果的と判った。