11:30 〜 11:45 [18a-G203-8] p型GOI基板上に作製した pチャネルGOIトンネルFETの電気特性 〇高口 遼太郎1、加藤 公彦1、柯 夢南1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東京大学)