一般セッション(口頭講演) | 12 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12.7 医用工学・バイオチップ [18p-F306-1~17] 12.7 医用工学・バイオチップ 2018年3月18日(日) 13:45 〜 18:30 F306 (61-306) 宮本 浩一郎(東北大)、山本 英明(東北大)、横山 新(広大)
一般セッション(口頭講演) | 12 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12.7 医用工学・バイオチップ [19a-F306-1~12] 12.7 医用工学・バイオチップ 2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 F306 (61-306) 高橋 一浩(豊橋技科大)、加治佐 平(PROVIGATE)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [18a-B301-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 B301 (53-301) 森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2018年3月18日(日) 13:00 〜 15:45 B301 (53-301) 嵯峨 幸一郎(ソニー)、蓮沼 隆(筑波大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [19a-F202-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2018年3月19日(月) 09:30 〜 12:15 F202 (61-202) 鵜殿 治彦(茨城大)、寺井 慶和(九工大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 F202 (61-202) 末益 崇(筑波大)、山口 憲司(量研機構)、原 康祐(山梨大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術 2018年3月17日(土) 09:00 〜 12:30 F206 (61-206) 井上 真雄(ルネサス)、渡邉 孝信(早大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術 2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:15 F206 (61-206) 上野 智雄(農工大)、大田 晃生(名大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [17a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2018年3月17日(土) 09:30 〜 12:30 C101 (52-101) 野口 隆(琉球大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [17p-C101-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2018年3月17日(土) 16:00 〜 17:30 C101 (52-101) 東 清一郎(広島大)