一般セッション(口頭講演)

[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:30 C202 (52-202)

神田晶申(筑波大)、大野恭秀(徳島大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:15

[19p-C202-1] [17.ナノカーボン　分科内招待講演] 電気化学エッチング法を活用した層状超伝導物質FeSeの極薄膜物性研究

〇塚崎敦¹ (1.東北大金研)

14:15 〜 14:30

[19p-C202-2] [講演奨励賞受賞記念講演] 遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子ホール効果

〇恩河大¹、張奕勁^2,3、井手上敏也¹、岩佐義宏^1,4 (1.東大物工、2.阪大産研、3.Max-Plank Inst.、4.理研CEMS)

14:30 〜 14:45

△ [19p-C202-3] MoTe₂の2H半導体相に対する接触特性の走査ゲート顕微法を用いた評価

〇(B)坂梨昂平¹、神谷航太¹、大内秀益¹、山中智貴¹、宮本克彦¹、尾松孝茂¹、ジョナサン P.バード²、青木伸之¹ (1.千葉大工、2.バッファロー大)

14:45 〜 15:00

[19p-C202-4] 遷移金属ダイカルコゲナイド層状物質の歪みによる物性制御

〇大島駿太郎¹、豊田雅之¹、斎藤晋¹ (1.東工大理)

15:00 〜 15:15

△ [19p-C202-5] 静電駆動型片持ち梁MoS₂の振動振幅制御

〇吉川大貴¹、宮本悠雅¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府大工)

15:15 〜 15:30

[19p-C202-6] MoS₂-Grapheneヘテロ構造への電圧印加による光誘起電子移動の制御

〇飯田健二¹、野田真史¹、信定克幸¹ (1.分子研)

15:30 〜 15:45

△ [19p-C202-7] 多結晶遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の電流励起発光イメージング

〇松岡拓史¹、蒲江¹、 Li Lain-Jong²、坂上知¹、竹延大志¹ (1.名大院工、2.KAUST)

15:45 〜 16:00

[19p-C202-8] MoS₂薄膜を用いた電気二重層トランジスタのESR分光研究

〇常友菜穂¹、井口翔平¹、ウォンユサン¹、ホシネ^2,3、ジョンイェスル²、若山裕^2,3、丸本一弘^1,4 (1.筑波大数物、2.物材研国際ナノ、3.九大院工、4.筑波大エネ物質科学セ)

16:00 〜 16:15

[19p-C202-9] NbSe₂原子層薄膜の高分解能ARPES

〇菅原克明¹、中田優樹²、清水亮太³、 Han Patric¹、一杉太郎³、上野啓司⁴、佐藤宇史²、高橋隆^2,1 (1.東北大WPI-AIMR、2.東北大院理、3.東工大院理工、4.埼玉大院理工)

16:30 〜 16:45

▲ [19p-C202-10] [Young Scientist Presentation Award Speech] Interface traps “extrinsically” deliver MIT in monolayer MoS₂ FET

〇Nan Fang¹、 Kosuke Nagashio^1,2 (1.Tokyo Univ.、2.PRESTO-JST)

16:45 〜 17:00

[19p-C202-11] 高速時間分解能計測によるMoS₂-FETにおける過渡応答からのギャップ内準位の抽出

〇谷口功起¹、長汐晃輔^1,2 (1.東大マテリアル、2.JST-さきがけ)

17:00 〜 17:15

△ [19p-C202-12] MoS₂/WS₂面内ヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析

〇(M1)黒田龍哉¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

17:15 〜 17:30

△ [19p-C202-13] 非平衡グリーン関数法を用いたMoS₂/Geバンド間トンネル電流解析

〇橋本風渡¹、森伸也¹ (1.阪大工)

17:30 〜 17:45

△ [19p-C202-14] TypeⅢ p⁺-WSe₂/ WSe₂ヘテロ構造におけるバンド間トンネル

〇何俊陽¹、方楠¹、中村圭吾¹、上野啓司²、谷口尚³、渡邊健司³、長汐晃輔¹ (1.東大、2.埼玉大、3.物材機構)

17:45 〜 18:00

△ [19p-C202-15] 酸素分離型蒸着装置による2次元層状チャネル上へのHigh-k絶縁膜堆積

〇丸山航平¹、長汐晃輔^1,2 (1.東京大工、2.JST-さきがけ)

18:00 〜 18:15

[19p-C202-16] 基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe₂ FETの作製

〇川那子高暢¹、高木寛之¹、居駒遼¹、大場智明¹ (1.東京工業大学)

18:15 〜 18:30

[19p-C202-17] 架橋したMoS₂/MoSe₂積層ヘテロ構造の熱伝導

〇毛利真一郎¹、福島駿介¹、宮内雄平²、松田一成²、名西憓之¹、荒木努¹ (1.立命館大理工、2.京大エネ研)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

2018年3月20日(火) 10:00 〜 12:15 C202 (52-202)

北浦良(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:00 〜 10:15

▲ [20a-C202-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Growth of uniform hexagonal boron nitride film using chemical vapor deposition

〇Shengnan Wang¹、 Alice Dearle¹、 Hiroki Hibino^1,2、 Kazuhide Kumakura¹ (1.NTT Basic Research Labs.、2.Kwansei Gakuin Univ.)

10:15 〜 10:30

△ [20a-C202-2] MoS₂の配向成長と面内ヘテロ構造体への展開

〇末永健志朗¹、白土喜博¹、ディンドン¹、河原憲治^3,2、日比野浩樹²、吾郷浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.グローバルイノベーションセンター、3.関学理工)

10:30 〜 10:45

△ [20a-C202-3] Synthesis of Large Single Crystal and Monolayer WS₂by Rapid Cooling Thermal CVD

〇(D)Chao Li¹、 Toshiro Kaneko¹、 Toshiaki Kato^1,2 (1.Tohoku Univ.、2.JST PRESTO)

10:45 〜 11:00

△ [20a-C202-4] 共スパッタ法と(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x) Te_2x混晶の成膜

〇日比野祐介¹、石原聖也^1,4、小柳有矢¹、澤本直美¹、大橋匠²、松浦賢太郎²、町田英明³、石川真人³、須藤弘³、若林整²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長株式会社、4.学振特別研究員)

11:15 〜 11:30

△ [20a-C202-5] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS₂成膜

〇大橋匠¹、坂本拓朗¹、松浦賢太朗¹、清水淳一¹、外山真矢人¹、石原聖也^2,3、日比野祐介²、宗田伊理也¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、小椋厚志²、若林整¹ (1.東工大、2.明治大、3.学振特別研究員)

11:30 〜 11:45

[20a-C202-6] スパッタの低パワー化によるMoS₂薄膜のキャリヤ濃度低減

〇坂本拓朗¹、大橋匠¹、松浦賢太朗¹、宗田伊理也¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東工大工)

11:45 〜 12:00

[20a-C202-7] 絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS₂膜の結晶性改善

〇濱田昌也¹、松浦賢太郎¹、谷川晴紀¹、大橋匠¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東工大工)

12:00 〜 12:15

[20a-C202-8] 供給・脱離制御による単層SnS成長の実現

〇川元颯巳¹、東垂水直樹¹、長汐晃輔^1,2 (1.東大マテリアル、2.JST-さきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[20p-C202-1~7] 17.3 層状物質

2018年3月20日(火) 13:45 〜 15:30 C202 (52-202)

上野啓司(埼玉大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

[20p-C202-1] Sputtered MoS₂ Thin Film Formation on CaF₂ (111) Substrate

〇(B)Zulkornain Bin Danial¹、 Iriya Muneta¹、 Naoki Hayakawa¹、 Kuniyuki Kakushima¹、 Kazuo Tsutsui¹、 Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech)

14:00 〜 14:15

[20p-C202-2] ミストCVD により作製した二硫化モリブデン(MoS₂)薄膜の特性評価

〇(D)佐藤翔太¹、坂本雅仁²、新田紀子^3,4、刘丽¹、 E. K. C. プラディープ⁴、鄧太江⁴、川原村敏幸^1,2,4 (1.高知工大院基盤工学、2.知能機械シス工、3.マテリアル工、4.総研)

14:15 〜 14:30

[20p-C202-3] 拡散・析出法により形成したh-BN/Niの軟X線吸収分光

〇鈴木哲¹、春山雄一¹ (1.兵庫県立大高度研)

14:30 〜 14:45

△ [20p-C202-4] 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製

〇東垂水直樹¹、川元颯巳¹、上野啓司²、長汐晃輔^1,3 (1.東大工、2.埼玉大、3.JST-さきがけ)

14:45 〜 15:00

[20p-C202-5] SnS₂合成とガスセンサーへの応用

〇林賢二郎^1,2、片岡真紗子¹、實宝秀幸^1,2、大淵真理^1,2、岩井大介¹、佐藤信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

15:00 〜 15:15

[20p-C202-6] MoS₂/Si pnヘテロ構造デバイスの光起電力によるガス応答

〇鵜篭直也¹、田畑博史¹、久保理¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

15:15 〜 15:30

[20p-C202-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

〇山末耕平¹、加藤俊顕²、金子俊郎²、長康雄¹ (1.東北大通研、2.東北大院工)

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17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

[19p-C202-1] [17.ナノカーボン　分科内招待講演] 電気化学エッチング法を活用した層状超伝導物質FeSeの極薄膜物性研究

[19p-C202-2] [講演奨励賞受賞記念講演] 遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子ホール効果

△ [19p-C202-3] MoTe₂の2H半導体相に対する接触特性の走査ゲート顕微法を用いた評価

[19p-C202-4] 遷移金属ダイカルコゲナイド層状物質の歪みによる物性制御

△ [19p-C202-5] 静電駆動型片持ち梁MoS₂の振動振幅制御

[19p-C202-6] MoS₂-Grapheneヘテロ構造への電圧印加による光誘起電子移動の制御

△ [19p-C202-7] 多結晶遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の電流励起発光イメージング

[19p-C202-8] MoS₂薄膜を用いた電気二重層トランジスタのESR分光研究

[19p-C202-9] NbSe₂原子層薄膜の高分解能ARPES

▲ [19p-C202-10] [Young Scientist Presentation Award Speech] Interface traps “extrinsically” deliver MIT in monolayer MoS₂ FET

[19p-C202-11] 高速時間分解能計測によるMoS₂-FETにおける過渡応答からのギャップ内準位の抽出

△ [19p-C202-12] MoS₂/WS₂面内ヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析

△ [19p-C202-13] 非平衡グリーン関数法を用いたMoS₂/Geバンド間トンネル電流解析

△ [19p-C202-14] TypeⅢ p⁺-WSe₂/ WSe₂ヘテロ構造におけるバンド間トンネル

△ [19p-C202-15] 酸素分離型蒸着装置による2次元層状チャネル上へのHigh-k絶縁膜堆積

[19p-C202-16] 基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe₂ FETの作製

[19p-C202-17] 架橋したMoS₂/MoSe₂積層ヘテロ構造の熱伝導

[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

▲ [20a-C202-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Growth of uniform hexagonal boron nitride film using chemical vapor deposition

△ [20a-C202-2] MoS₂の配向成長と面内ヘテロ構造体への展開

△ [20a-C202-3] Synthesis of Large Single Crystal and Monolayer WS₂by Rapid Cooling Thermal CVD

△ [20a-C202-4] 共スパッタ法と(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x) Te_2x混晶の成膜

△ [20a-C202-5] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS₂成膜

[20a-C202-6] スパッタの低パワー化によるMoS₂薄膜のキャリヤ濃度低減

[20a-C202-7] 絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS₂膜の結晶性改善

[20a-C202-8] 供給・脱離制御による単層SnS成長の実現

[20p-C202-1~7] 17.3 層状物質

[20p-C202-1] Sputtered MoS₂ Thin Film Formation on CaF₂ (111) Substrate

[20p-C202-2] ミストCVD により作製した二硫化モリブデン(MoS₂)薄膜の特性評価

[20p-C202-3] 拡散・析出法により形成したh-BN/Niの軟X線吸収分光

△ [20p-C202-4] 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製

[20p-C202-5] SnS₂合成とガスセンサーへの応用

[20p-C202-6] MoS₂/Si pnヘテロ構造デバイスの光起電力によるガス応答

[20p-C202-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

認証

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17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

△ [19p-C202-3] MoTe2の2H半導体相に対する接触特性の走査ゲート顕微法を用いた評価

△ [19p-C202-5] 静電駆動型片持ち梁MoS2の振動振幅制御

△ [19p-C202-7] 多結晶遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の電流励起発光イメージング

▲ [19p-C202-10] [Young Scientist Presentation Award Speech] Interface traps “extrinsically” deliver MIT in monolayer MoS2 FET

△ [19p-C202-12] MoS2/WS2面内ヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析

△ [19p-C202-13] 非平衡グリーン関数法を用いたMoS2/Geバンド間トンネル電流解析

△ [19p-C202-14] TypeⅢ p+-WSe2/ WSe2ヘテロ構造におけるバンド間トンネル

△ [19p-C202-15] 酸素分離型蒸着装置による2次元層状チャネル上へのHigh-k絶縁膜堆積

[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

▲ [20a-C202-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Growth of uniform hexagonal boron nitride film using chemical vapor deposition

△ [20a-C202-2] MoS2の配向成長と面内ヘテロ構造体への展開

△ [20a-C202-3] Synthesis of Large Single Crystal and Monolayer WS2 by Rapid Cooling Thermal CVD

△ [20a-C202-4] 共スパッタ法と(t-C4H9)2S2を用いた硫化によるMoS2(1-x) Te2x混晶の成膜

△ [20a-C202-5] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜

[20p-C202-1~7] 17.3 層状物質

△ [20p-C202-4] 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製

認証

△ [19p-C202-3] MoTe₂の2H半導体相に対する接触特性の走査ゲート顕微法を用いた評価

△ [19p-C202-5] 静電駆動型片持ち梁MoS₂の振動振幅制御

▲ [19p-C202-10] [Young Scientist Presentation Award Speech] Interface traps “extrinsically” deliver MIT in monolayer MoS₂ FET

△ [19p-C202-12] MoS₂/WS₂面内ヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析

△ [19p-C202-13] 非平衡グリーン関数法を用いたMoS₂/Geバンド間トンネル電流解析

△ [19p-C202-14] TypeⅢ p⁺-WSe₂/ WSe₂ヘテロ構造におけるバンド間トンネル

△ [20a-C202-2] MoS₂の配向成長と面内ヘテロ構造体への展開

△ [20a-C202-3] Synthesis of Large Single Crystal and Monolayer WS₂by Rapid Cooling Thermal CVD

△ [20a-C202-4] 共スパッタ法と(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x) Te_2x混晶の成膜

△ [20a-C202-5] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS₂成膜