一般セッション(口頭講演)

[17a-B203-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月17日(土) 09:30 〜 12:15 B203 (53-203)

下村和彦(上智大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[17a-B203-1] Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の20 Gbps動作

〇顧之チン¹、井上大輔¹、鄭叙¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大電電、2.東工大未来研)

09:45 〜 10:00

△ [17a-B203-2] 分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計

〇(M1)鄭叙¹、顧之琛¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研)

10:00 〜 10:15

▲ [17a-B203-3] A simulation analysis of electrical characteristics of type-II InAs/GaSb superlattice mid-infrared p-i-n photodetector

〇(D)Yen Thi Le¹、 Yoshinari Kamakura¹、 Takeharu Goji Etoh²、 Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ.、2.Ritsumeikan Univ.)

10:15 〜 10:30

[17a-B203-4] 黒燐による10GHz級高速受光器

〇高磊¹、 Gallagher Patrick¹、 Yang Chanshan¹、 Zhang Zuocheng²、 Lin Chung-Kuan¹、 Horng Jason¹、 Kang Jihun¹、 Zhang Yuanbo²、 Wang Feng^1,3 (1.カリフォルニア州立大バークレー校、2.上海交通大、3.ローレンスバークレー国立研究所)

10:30 〜 10:45

[17a-B203-5] 光無線給電高効率化のためのIII-V族化合物太陽電池の応用(４)

〇(M1)定免良太¹、池田充貴¹、桐生倖成¹、松下幹弥¹、前中寛裕¹、寺本英央¹、仲村友希¹、代盼²、陆书龙²、内田史朗¹ (1.千葉工大、2.蘇州ナノテク研)

11:00 〜 11:15

[17a-B203-6] 近赤外LEDとGaAs太陽電池による100mW級光無線給電

〇石田侑次¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

11:15 〜 11:30

[17a-B203-7] GaAs太陽電池を用いた光無線給電システムの高効率化

〇勝田優輝¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

11:30 〜 11:45

[17a-B203-8] 光無線給電高効率化のためのフライアイレンズによる均一照射の検討

〇勝田優輝¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

11:45 〜 12:00

[17a-B203-9] 光無線給電の光ビーム方向制御における光照射特性解析

〇(M1)松永一仁¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

12:00 〜 12:15

[17a-B203-10] 光無線給電高効率化のための自然放出光利用VCSELの製作

須田義久¹、〇宮本智之¹ (1.東工大未来研)

一般セッション(口頭講演)

[18a-B203-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 B203 (53-203)

西山伸彦(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-B203-1] VCSEL電気特性改善に向けたトンネル接合の材料依存性の評価

〇(M1)青山智之¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

09:15 〜 09:30

[18a-B203-2] 発熱分布解析と薄膜熱伝導減少効果を取入れたVCSEL熱抵抗解析

三村正樹¹、〇宮本智之¹ (1.東工大未来研)

09:30 〜 09:45

[18a-B203-3] VCSELの高効率化に向けたの深い位置におけるイオン注入量子井戸混晶化条件に関する研究

〇堀切顕徳¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

09:45 〜 10:00

△ [18a-B203-4] Talbot効果を用いた位相同期面発光レーザアレイに向けた相互注入同期の数値解析

〇(M1)七條太一¹ (1.東工大未来研)

10:00 〜 10:15

[18a-B203-5] 電子スピン偏極変調によるInAlGaAs面発光半導体レーザの高速動作

〇横田信英¹、二坂薫平¹、八坂洋¹、池田和浩² (1.東北大通研、2.産総研)

10:30 〜 10:45

▲ [18a-B203-6] Modulation Response of an Electro-absorption Modulator Integrated with Transverse Coupled Cavity VCSELs

〇(D)Shanting Hu、 fumio koyama

10:45 〜 11:00

[18a-B203-7] MEMS VCSEL集積スローライト導波路ビームスキャナの作製

〇井上俊也¹、旭利紘¹、西村駿¹、中濵正統¹、松谷晃宏¹、坂口孝浩¹、小山二三夫¹ (1.東工大)

11:00 〜 11:15

[18a-B203-8] 3Dセンシングのための解像点数100点を超えるアクティブビームスキャナ

〇旭利紘¹、顧暁冬¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

11:15 〜 11:30

[18a-B203-9] 多層膜スローライト導波路ビーム偏向器を用いたLiDARシステムの検討 (II) --- 2次元ビームスキャンの実証

〇近藤圭祐¹、顧暁冬¹、中濵正統¹、許在旭¹、小山二三夫¹ (1.東工大未来研)

11:30 〜 11:45

[18a-B203-10] 長尺面発光レーザ増幅器による高出力・高ビーム品質動作

〇許在旭¹、志村京亮¹、顧暁冬¹、中濵正統¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

11:45 〜 12:00

[18a-B203-11] 折り返し構造を有するVCSEL増幅器によるドットパターン形成

〇(B)森長瑞¹、顧暁冬¹、志村京亮¹、中濵正統¹、小山二三夫¹ (1.東工大)

一般セッション(口頭講演)

[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 B203 (53-203)

種村拓夫(東大)、赤羽浩一(NICT)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[18p-B203-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 半導体光増幅器の相互位相変調を用いた光－無線メディア変換法の提案

〇山中友輔¹、久保木猛¹、加藤和利¹ (1.九大シス情)

13:30 〜 13:45

[18p-B203-2] マイクロリングレーザの非線形モデルに基づく全光フリップフロップおよびインバータ動作の理論的検討

〇小林直樹¹、青木椋祐¹、河村雄作¹、國分泰雄¹ (1.横浜国大院工)

13:45 〜 14:00

△ [18p-B203-3] 半導体マイクロリングレーザを用いた全光フリップフロップおよび
インバータ動作の切り替わり条件の実験的検討

〇青木椋祐¹、小林直樹¹、河村雄作¹、荒川太郎¹、國分泰雄¹ (1.横国大院工)

14:00 〜 14:15

△ [18p-B203-4] MQW-SOAを用いた高速信号処理全光論理ゲートデバイスの10Gbpsにおける基本動作の確認

〇(M1)赤石陽太¹、松井信衞¹、伊澤昌平¹、松本敦²、松島裕一³、石川浩¹、宇髙勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

14:15 〜 14:30

[18p-B203-5] 1.3µm帯光送信器に向けたInP集積偏波多重回路の設計

〇菅一輝¹、中野義昭¹、種村拓夫¹ (1.東大院工)

14:30 〜 14:45

[18p-B203-6] TE光を用いたサブ波長格子型光変調器の設計と試作

〇小杉優地¹、岡本有貴¹、山田千由美²、肥後昭男¹、山田俊樹²、大友明²、三田吉郎¹、中野義昭¹、種村拓夫^1,3 (1.東京大学、2.情報通信研究機構、3.科学技術振興機構さきがけ)

14:45 〜 15:00

[18p-B203-7] III-V/SOI ハイブリッドデバイス/Si 細線導波路間テーパ型モード変換器の構造評価

〇鈴木純一¹、立花文人¹、永坂久美¹、エイッサモータズ¹、白柳¹、御手洗拓矢¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研)

15:15 〜 15:30

[18p-B203-8] 集積量子効果スーパー・ルミネッセント素子：構造と基本特性

〇樋口彰¹、廣畑徹¹、田中和典¹、黒柳和良¹、山西正道¹ (1.浜松ホトニクス)

15:30 〜 15:45

[18p-B203-9] 集積量子効果スーパー・ルミネッセント素子：方向性放射と変調特性

〇廣畑徹¹、樋口彰¹、田中和典¹、黒柳和良¹、山西正道¹ (1.浜松ホトニクス)

15:45 〜 16:00

△ [18p-B203-10] 周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ

〇楠本壮¹、上向井正裕¹、片山竜二¹ (1.阪大院工)

16:00 〜 16:15

▲ [18p-B203-11] Investigation of Perfect Reflection by 2D Photonic Crystal on the AlGaN Surface
used for increasing light-extraction efficiency of deep-UV LED

〇(P)Joosun Yun¹、 Hirayama Hideki¹ (1.RIKEN)

16:15 〜 16:30

[18p-B203-12] Si基板上へのPbCaS/PbSダブルへテロ構造の作製と光励起レーザ発光特性

〇石田明広¹、稲葉翔大¹、橋口慎太郎¹、秋川弘樹¹、中嶋聖介¹ (1.静大工)

16:30 〜 16:45

[18p-B203-13] Si基板上への電流注入型IV-VI族半導体中赤外レーザ作製に向けた半導体ヘテロ界面バンドオフセットの検討

〇石田明広¹、山岸寿来¹、稲葉翔太¹、中嶋聖介¹ (1.静岡大工)

17:00 〜 17:15

[18p-B203-14] 半導体レーザーと半導体光増幅器における雑音特性の統一的理論解析

〇山田実

17:15 〜 17:30

[18p-B203-15] 多重積層量子ドットを用いた半導体光増幅器の温度特性

〇赤羽浩一¹、吉田尚也²、深江優²、松本敦¹、梅沢俊匡¹、外林秀之²、山本直克¹ (1.情通機構、2.青学大)

17:30 〜 17:45

[18p-B203-16] 太陽電池と発光ダイオードを対向させただけの新型高性能トランジスタ

〇岡本研正¹ (1.光半導体応用技研)

17:45 〜 18:00

[18p-B203-17] サブミクロン厚4H-SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性

〇竹中一将¹、板東洋太¹、滝谷悠介¹、山口誠²、田中康弘³、中島信一¹、岡田達也¹、富田卓朗¹ (1.徳島大工、2.秋田大理工、3.香川大工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-B203-1~9] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月19日(月) 09:00 〜 11:45 B203 (53-203)

影山健生(QDレーザ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-B203-1] リッジ導波路型GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの消費電力の検討

〇中村なぎさ¹、瓜生達也¹、 Gu Zhichen¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大科技研)

09:15 〜 09:30

▲ [19a-B203-2] Lasing Wavelength Dependence on Injection Current of GaInAsP/InP Membrane Distributed Reflector Laser with Thin-BCB Layer

〇Weicheng Fang¹、 Tatsuya Uryu¹、 Tomohiro Amemiya^1,2、 Nobuhiko Nishiyama^1,2、 Shigehisa Arai^1,2 (1.Titech、2.FIRST)

09:30 〜 09:45

[19a-B203-3] ハイブリッド集積に向けたAr-FAB表面活性化接合法のInP/Si接合特性の検討

〇永坂久美¹、鈴木純一¹、御手洗拓矢¹、王雨寧¹、雨宮智宏^1,2、西山伸彦^1,2、荒井滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研)

09:45 〜 10:00

▲ [19a-B203-4] Lasing characteristics of 1.5µm GaInAsP ridge laser diode on directly bonded InP/Si substrate

〇(D)Gandhi Kallarasan¹、 Naoki Kamada¹、 Yuya Onuki¹、 Kazuki Uchida¹、 Hirokazu Sugiyama¹、 Xu Han¹、 Natsuki Hayasaka¹、 Masaki Aikawa¹、 Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia univ.)