[17a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-C101-3] 大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製

〇原田 大夢¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大先端研)

キーワード：ゲルマニウム

本研究ではn型Ge-TFTの作製に向け、a-Geにn型不純物であるリン(P)をドープし、µ-TPJを照射することで高移動度n型Ge膜の作製を試みた。