[17a-F206-1~13] 13.3 Insulator technology

[17a-F206-3] The Variation of Charge Redistribution Owing to Deterioration of Si₃N₄ Evaluated by KFM

〇Koudai Ozawa¹, Ryu Hasunuma¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:KFM, Silicon Nitride

MONOS型フラッシュメモリの電荷捕獲層として注目されるSi₃N₄は、膜中電荷分布変化が時間をかけて起こる点や、膜質劣化に伴い電荷保持特性が変化する点において信頼性課題となりうる。これらに関する知見をナノスケールで得ることは、メモリの微細化を進めていくうえで非常に有益な情報をもたらすといえる。今回は電気的ストレスによるSi₃N₄膜の劣化に関して、KFMを用いてSi₃N₄膜中の電荷捕獲箇所の電位分布の経時変化を捉えることで調査した。