[17a-F206-1~13] 13.3 Insulator technology

△ [17a-F206-9] Difference of temperature dependent V_FB shift caused by interface dipole at Al₂O₃/SiO₂, MgO/SiO₂ and MgO/Al₂O₃

〇Takashi Hamaguchi¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:high-k, dipole layer, MgO

MOSキャパシタの絶縁膜として使われるhigh-k材料およびSiO₂のうち、ある組合せでは界面ダイポール層形成が報告されている。また既に我々はAl₂O₃/SiO₂界面ダイポール強度が温度依存性をもつと報告した。これは室温以外でのMOSデバイス動作信頼性向上の観点で重要である。本研究では他の異種酸化膜について界面ダイポール強度の温度依存性を調べ、比較した。その結果、MgO/SiO₂­界面ダイポール強度は~2mV/K、MgO/Al₂O₃は~0.7mV/Kの温度依存性を示した。以上より異種酸化膜の界面ダイポール強度は材料の組み合わせに応じて異なる温度依存性を示し、特にSiO₂を含む系は顕著な依存性を有することが示唆された。