[17p-C101-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-C101-6] ECR ArプラズマCVDにより形成したSi-Ge系p⁺-n接合へのBドープSiの結晶性改善の影響

〇(DC)李 武¹、上野 尚文¹、加藤 永史¹、櫻庭 政夫¹、秋間 学尚¹、佐藤 茂雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：ECR プラズマ CVD、ヘテロ構造、エピタキシャル成長

熱的なミキシングを抑制することを目的として、基板非加熱低エネルギーECR ArプラズマCVDにより形成したSi/Si-Ge混晶ヘテロ構造を用いたp⁺-n接合形成において高濃度BドープSi薄膜の結晶性の改善を行い、その影響について調査したところ、順方向電流がほぼ理想的な傾きで立ち上がる良好な整流特性を示し、結晶性改善により逆方向電流が抑制されることを明らかにした。