[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-5] SiGeの熱酸化によって界面に形成されるGe層の析出機構

〇野間 勇祐¹、宋 宇振¹、西村 知紀¹、矢嶋 赳彬¹、鳥海 明¹ (1.東大院工)

キーワード：シリコンゲルマニウム、酸化