[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[18a-G203-8] p型GOI基板上に作製した pチャネルGOIトンネルFETの電気特性

〇高口 遼太郎¹、加藤 公彦¹、柯 夢南¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学)

キーワード：トンネルFET、Ge、GOI

Geは狭いバンドギャップのため、高いオン電流をもつトンネルFET（TFET）を実現する材料として注目されている。本研究では、p型GOI基板（p-GOI）上にpチャネルTFET（p-TFET）を作製し、n型バルクGe基板（n-Ge）上に作製したものと電気特性の比較を行った。P-GOI p-TFETは、蓄積状態でp-TFET動作をする。そのため、反転状態で動作するn-Ge p-TFETと比べ、p-TFET動作領域で欠陥に起因するリーク成分を抑えることができ、低電流領域での立ち上がりが急峻となった。