[18p-A202-1~15] デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

[18p-A202-12] 先端半導体素子信頼性のデバイスシミュレーション

〇石原 貴光¹、松澤 一也¹、内藤 毅²、吉富 貞幸² (1.東芝メモリ(株)メモリ技術研究所、2.東芝メモリ(株)メモリ事業部)

キーワード：信頼性、デバイスシミュレーション、ESD

半導体デバイスの微細化により高集積化・大規模化が進展しているLSIにおいては、信頼性悪化が大きな課題となっている。ESD(electrostatic discharge)、エレクトロ・マイグレーション、ホット・キャリア、NBTI・PBTIによるデバイスの劣化がその代表的な要因である。ESDについては、AHI (Anode-Hole-Injection)モデルによるゲート絶縁膜壊のモデリングにより、ESD耐性の指標となる破壊パルス回数をデバイスシミュレーションにより高精度に求めることで、ESD耐性の予測を可能とした。将来的には、回路シミュレーションとの連携により、レイアウトのレベルで見出した信頼性悪化個所を、デバイスシミュレーションにより詳細にメカニズム解析を行うことで、設計段階での見通しの良い信頼性設計を期待できる。