2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年3月18日(日) 13:00 〜 15:45 B301 (53-301)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、蓮沼 隆(筑波大)

15:30 〜 15:45

[18p-B301-10] 誘導帯電を利用した半導体デバイスの純水スプレー洗浄の静電気障害対策
~第2報 誘導帯電素子の位置および形状に関する検討~

清家 善之1、渡辺 隼人1、宮川 将吾1、森 竜雄1、瀬川 大司2、小林 義典2、宮地 計ニ2、甘利 昌彦2 (1.愛知工大、2.旭サナック)

キーワード:静電気障害、半導体、誘導帯電素子

近年、半導体デバイス製造において、純水スプレーによる洗浄工程が注目されている。純水スプレー洗浄は、比抵抗値の高い純水を霧化させる方法であるため、液滴の分裂帯電電で静電気が生じ、半導体デバイスに静電気障害ESD (Electrostatic Discharge)を生じさせる。対策として炭酸ガスを純水に混入させるが取られているが、純水を改質しない新たな方法が求められている。本報においては、誘導帯電素子の設置位置および形状が除電効果にどのような影響があるかを確認した。