[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-10] 誘導帯電を利用した半導体デバイスの純水スプレー洗浄の静電気障害対策
～第２報 誘導帯電素子の位置および形状に関する検討～

〇清家 善之¹、渡辺 隼人¹、宮川 将吾¹、森 竜雄¹、瀬川 大司²、小林 義典²、宮地 計ニ²、甘利 昌彦² (1.愛知工大、2.旭サナック)

キーワード：静電気障害、半導体、誘導帯電素子

近年、半導体デバイス製造において、純水スプレーによる洗浄工程が注目されている。純水スプレー洗浄は、比抵抗値の高い純水を霧化させる方法であるため、液滴の分裂帯電電で静電気が生じ、半導体デバイスに静電気障害ESD (Electrostatic Discharge)を生じさせる。対策として炭酸ガスを純水に混入させるが取られているが、純水を改質しない新たな方法が求められている。本報においては、誘導帯電素子の設置位置および形状が除電効果にどのような影響があるかを確認した。