2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年3月18日(日) 13:00 〜 15:45 B301 (53-301)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、蓮沼 隆(筑波大)

13:30 〜 13:45

[18p-B301-3] 絶縁体表面帯電の自己補償機構の解明に向けたプラズマCVD SiO2膜に対するXPSによる表面帯電評価

〇(B)牛丸 晃太1,2、張江 貴大1,2、小林 大輔2、山本 知之1、廣瀬 和之1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)

キーワード:絶縁体、チャージアップ、X線光電子分光法