[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-12] GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるゲート金属形成プロセスの影響

木瀬 信和¹、〇青沼 遼介¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工)

キーワード：III-V族化合物半導体、InGaAs、トンネルFET

トンネルFETは急峻なSSを持つ次世代の低消費電力デバイスとして期待されている。トンネルFET のSS改善に向けた課題は界面準位密度の削減である。界面準位密度に影響する要因としてゲート金属形成プロセスがある。今回，GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETのゲート金属形成プロセスに熱蒸着法を採用することで，電子ビーム蒸着法と比較してサブスレッショルド領域の特性が向上したことを報告する。