[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-2] 重イオン放射線に晒された薄膜BOX-SOI SRAMにおけるソフトエラー

〇小林 大輔¹、廣瀬 和之¹、伊藤 大智²、梯 友哉²、川崎 治²、牧野 高紘³、大島 武³、松浦 大介⁴、成田 貴則⁴、加藤 昌浩⁴、石井 茂⁴、益川 一範⁴ (1.JAXA宇宙研、2.JAXA研開、3.量研、4.三菱重工業(株))

キーワード：ソフトエラー、宇宙線、SOI

SOI技術はソフトエラーに有利な技術として知られている．近年は埋め込み酸化膜を10 nm程度に薄膜化したものが開発され，更にその下にウェル構造を埋め込み柔軟な基板バイアス(V_B)制御を実現するものもある．これについて，我々は宇宙に存在するような重イオン放射線を照射したところ，V_Bに依存してエラー発生率が二桁大きくなることを見出した．その実験内容について報告し，背景物理について議論したい．