[18p-G203-1~18] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[18p-G203-9] Pure CMOS Few-Time Programmable Memories using a Combination of Gate-Ox Anti-fuse and Poly-Si Fuse

〇Mari Matsumoto¹, Masato Oda¹, Shinichi Yasuda¹ (1.Toshiba R&D Center)

Keywords:memory, FewTime Programmable memory

OTP（One Time Programmable）メモリは1回のみ書き込みが可能な不可逆メモリである。不揮発メモリではその製造に特殊なプロセスが必要となるが、OTPメモリは特殊なプロセスを必要とせずに安価で作製でき、セキュリティ用途等のメモリとして広く利用されている。OTPメモリは、トランジスタの酸化膜破壊を利用したものがよく知られている。我々はこれまでに酸化膜破壊とゲート破断による異なる手法のOTPメモリの提案をおこなっている。本報告では、上記OTPメモリの書き込み手法を応用し、汎用CMOSプロセスでありながらゲート構造および書き込み方法の変更により、複数回書き込みが可能なFTP（Few Time Programmable）メモリの提案を行い、試作・評価した結果を報告する。