[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-9] 酸化膜破壊およびPoly-Siヒューズを用いた標準CMOSプロセス準拠の複数回書き込みメモリ

〇松本 麻里¹、小田 聖翔¹、安田 心一¹ (1.東芝研究開発センター)

キーワード：メモリ、FTPメモリ

OTP（One Time Programmable）メモリは1回のみ書き込みが可能な不可逆メモリである。不揮発メモリではその製造に特殊なプロセスが必要となるが、OTPメモリは特殊なプロセスを必要とせずに安価で作製でき、セキュリティ用途等のメモリとして広く利用されている。OTPメモリは、トランジスタの酸化膜破壊を利用したものがよく知られている。我々はこれまでに酸化膜破壊とゲート破断による異なる手法のOTPメモリの提案をおこなっている。本報告では、上記OTPメモリの書き込み手法を応用し、汎用CMOSプロセスでありながらゲート構造および書き込み方法の変更により、複数回書き込みが可能なFTP（Few Time Programmable）メモリの提案を行い、試作・評価した結果を報告する。